История компании

  • 24 мая 2007 – регистрация компании ООО «Лабфер»
  • 2008 г. – продажи первых преобразователей длины волны лазерного излучения.
  • 2009 и 2010 гг. – выполнение проектов по программам «Старт» и «Развитие наноиндустрии Свердловской области на 2008-2010 гг.»
  • Апрель 2009 г. – получена Золотая медаль 37го Международного салона изобретений, новой техники и технологий в Женеве за способ формирования периодической доменной структуры (совместно с УрГУ им. А.М. Горького).  
  • Июнь 2009 г. – участие в выставке Laser world of Photonics в Мюнхене способствовало выходу продукции компании «Лабфер» на международный рынок.
  • Октябрь 2009 г. – получен патент на изобретение «Способ формирования периодической доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика», приоритет от 21 мая 2008 года (совместно с УрГУ им. А.М. Горького).
  • Февраль 2010 г. – получена Золотая медаль V Уральской венчурной выставки-ярмарки «Инновации 2010»(Екатеринбург)
  • Ноябрь 2010 г. – интерес к экспонату компании «Лабфер» в рамках выставки «Роснанотех-2010» получил резонанс в российских СМИ, что способствовало заключению ряда важных контрактов с российскими фирмами – производителями лазеров и лазерных систем.
  • 2011 г. – расширен ассортимент продукции засчет аксессуаров – термоконтроллеров и термостатов для преобразователей.
  • Февраль 2011 г. – получен патент на изобретение «Способ формирования периодической доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика», приоритет от 29 сентября 2009 г.
  • Апрель 2011 г. – компания удостоена Золотой медали 39го Международного салона изобретений, новой техники и технологий в Женеве за свою уникальную технологию формирования периодической доменной структуры.
  • Май 2011 г. - заключен договор с Министерством промышленности и науки Свердловской области на выполнение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ в сфере нанотехнологий.
  • Январь 2012 г. - получен российский патент на изобретение "Способ формирования доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика".  Таким образом, число патентов, полу­ченных компа­нией, достигло трёх.
  • Июнь 2013 г. - получен российский патент на изобретение "Способ формирования полидоменных сегнетоэлектрических монокристаллов с заряженной доменной стенкой"